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电子元器件详细资料 » IC[25884] » NTLJS1102PTBG
型号:NTLJS1102PTBG类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:6-WDFN 裸露焊盘描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C36 毫欧 @ 6.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222720mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1585pF @ 4V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-WDFN(2x2)
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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