型号:NTLJS1102PTBG | 类别:FET - 单 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:6-WDFN 裸露焊盘 | 描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 36 毫欧 @ 6.2A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 720mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1585pF @ 4V |
功率_最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 6-WDFN(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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